快速溫變試驗箱 測試集成芯片

適應于儀器、儀表、電工、電子產(chǎn)品電子零組件，成品、半成品、半導體、化學、材料等個中環(huán)境測試整機及零部件等作溫度快速變化或漸變條件下的適應性試驗及應力篩選試驗以便對試品在擬定條件下的性能、行為作出分析及評價(快速變化)

快速溫變試驗箱 測試集成芯片

技術(shù)參數(shù)：

1.溫度范圍：-40℃～150℃
2.濕度范圍：20%～98%R.H
3.溫度均勻度：≤±2℃（空載時）
4.濕度均勻度：+2%-3%R.H
5.溫度波動度：≤±0.5℃（空載時）
6.濕度波動度：±2%
7.溫度偏差：≤±2℃
8.濕度偏差：≤±2%
9.降溫速率：0.7～1.0℃/min
10.升溫速率：1.0～3.0℃/min
11.時間設(shè)定范圍：0～999小時
12.電源電壓：380V±10%

設(shè)備滿足以下標準

GB/T 10592 -2008 高低溫試驗箱技術(shù)條件

GB/T 10586 -2006濕熱試驗箱技術(shù)條件

GB/T 2423. 1-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗A:低溫

GB/T 2423. 2-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗B:高溫

GB/T 2423. 3-2006電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Cab:恒定濕熱試驗

GB/T 2423. 4- -2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Db:交變濕熱(12h + 12h循環(huán))

GB/T 2423. 22-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗N:溫度變化

GB/T 5170. 1-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備檢驗方法總則

GJB 150. 3A-2009裝備實驗室環(huán)境試驗方法第3部分:高溫試驗

GJB 150. 4A-2009裝備實驗室環(huán)境試驗方法第4部分:低溫試驗

GJB150.9A-2009裝備實驗室環(huán)境試驗方法第9部分:濕熱試驗